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一种光导半导体开关结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201220670021.0
  • IPC分类号:H01L31/08;H01L31/0224
  • 申请日期:
    2012-12-07
  • 申请人:
    东莞市五峰科技有限公司
著录项信息
专利名称一种光导半导体开关结构
申请号CN201220670021.0申请日期2012-12-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/08IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人东莞市五峰科技有限公司申请人地址
广东省东莞市松山湖科技产业园区松科苑14号楼302B房 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东莞市五峰科技有限公司当前权利人东莞市五峰科技有限公司
发明人杨汇鑫;胡刚
代理机构东莞市华南专利商标事务所有限公司代理人雷利平
摘要
本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种光导半导体开关结构,包括基片,所述基片的顶端面设置有第一碳化硅薄膜,所述第一碳化硅薄膜的顶端面的两侧分别设置有电极,所述电极的顶端面设置有第二碳化硅薄膜,该第二碳化硅薄膜覆盖于电极之间的间隙及电极的顶端面的部分区域。本实用新型采用在电极的顶端面设置一层碳化硅薄膜以增加碳化硅薄膜与电极的接触面积,从而使得导通电流可以从电极的两个表面流通,同时实现光导半导体开关的击穿电压和导通电流的提高,以及暗电流的降低。

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