一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310465183.X
IPC分类号：H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
申请日期：
2013-10-08
申请人：
上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司

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专利名称	一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置
申请号	CN201310465183.X	申请日期	2013-10-08
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-07-16	公开/公告号	CN103928397A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人	上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区汇庆路889号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海天马微电子有限公司,天马微电子股份有限公司	当前权利人	上海天马微电子有限公司,天马微电子股份有限公司
发明人	翟应腾;吴勇
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	李姜

摘要

本发明公开了一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置，包括：在基板之上形成数据线和阻挡层，在阻挡层之上形成介质层，利用一道光罩刻蚀介质层和阻挡层而形成阻挡层图形，在介质层之上形成像素电极，数据线和像素电极至少部分重叠。本发明通过仅利用一道光罩就完成了对阻挡层和介质层的刻蚀（图案化），可以达到以下至少一个效果：节省一道光罩工艺，简化工艺流程，提高基板制备良率，减少寄生电容的干扰，增大开口率和降低功耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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