一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110251934.2
IPC分类号：H01L31/101;H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/18
申请日期：
2021-03-08
申请人：
华南师范大学

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专利名称	一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用
申请号	CN202110251934.2	申请日期	2021-03-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113097334A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/101 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;3;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	华南师范大学	申请人地址	广东省广州市天河区石牌中山大道西55号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南师范大学	当前权利人	华南师范大学
发明人	李京波;张帅;高伟;张峰;岳倩;郑涛
代理机构	广东广信君达律师事务所	代理人	彭玉婷

摘要

本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种SiC基二硫化钨紫外‑可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n+SiC(360μm)/n‑SiC(11μm)/对称电极/WS2纳米片；所述探测器先在SiO2/Si衬底上通过机械剥离制备微米尺寸的不规则WS2纳米片；再通过PVA干法转移工艺，将WS2转移至已通过光刻蒸镀工艺沉积对称电极的SiC衬底上，最后将附有WS2/PVA膜的SiC衬底放入50～60℃去离子水或二甲基亚砜中加热使PVA膜溶解；保护气氛中在100～250℃退火获得。本发明提高了WS2探测器的性能，促进了SiC基二维材料功能器件的应用发展，有利于商业化推广。

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