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一种光电探测器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911379861.4
  • IPC分类号:H01L31/02H01L31/0216H01L31/0232G01J1/02
  • 申请日期:
    2019-12-27
  • 申请人:
    武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
著录项信息
专利名称一种光电探测器
申请号CN201911379861.4申请日期2019-12-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-05-08公开/公告号CN111129168A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/02IPC分类号H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0232;G01J1/02查看分类表>
申请人武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉光谷信息光电子创新中心有限公司当前权利人武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
发明人胡晓;肖希;王磊;陈代高;张宇光;李淼峰
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司代理人李梅香;张颖玲
摘要
为解决现有光电探测器具有响应度较低且无法满足高光功率探测的需求的问题,本申请实施例提供一种光电探测器,涉及光电探测器技术领域,所述光电探测器包括:硅层,所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区;与所述硅层接触的锗层,所述锗层包括第二掺杂类型的掺杂区;氮化硅波导,所述氮化硅波导沿所述锗层的至少三个侧壁的延伸方向围绕所述锗层设置;其中,所述氮化硅波导用于传输光信号,并将所述光信号耦合至所述锗层,所述锗层用于探测所述光信号,并将所述光信号转换为电信号。

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