一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202010657905.1
IPC分类号：H01L29/78H01L29/06
申请日期：
2020-07-09
申请人：
重庆邮电大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件
申请号	CN202010657905.1	申请日期	2020-07-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-09	公开/公告号	CN111755523A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H01L29/78;H01L29/06查看分类表>
申请人	重庆邮电大学	申请人地址	重庆市南岸区黄桷垭崇文*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆邮电大学	当前权利人	重庆邮电大学
发明人	陈伟中;黄元熙;黄垚;李顺;黄义;张红升
代理机构	北京同恒源知识产权代理有限公司	代理人	赵荣之

摘要

本发明涉及一种具有低阻N型电子通道的超结SOI‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括源极接触区、栅源隔离氧化层、栅氧化层、栅极接触区、场氧化层、漏极接触区、源极P+区、源极、漏极、P‑body、N型漂移区、埋氧层、衬底、低阻N型电子通道和超结区；低阻N型电子通道左边紧邻P‑body右侧上部，右边靠近漏极的左侧，上方从左至右依次靠近栅氧化层下方的右侧部分和场氧化层的下方，下方与超结区接壤；超结区左侧紧邻P‑body右侧下部，右侧紧邻N型漂移区，下方紧邻埋氧层。本发明在提高漂移区浓度，降低Ron,sp的同时，还能增加击穿电压。