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在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110282836.1
  • IPC分类号:H01L21/265;H01L21/8238
  • 申请日期:
    2011-09-22
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法
申请号CN201110282836.1申请日期2011-09-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-03公开/公告号CN103021824A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/265IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人胡君;罗啸;刘冬华;段文婷
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法,多晶硅栅上形成有硅化钨和氮化硅,侧墙形成后,包括步骤:生长第一氧化层;淀积第二多晶硅层;淀积第三氧化层;对第三氧化层进行平坦化,将多晶硅栅上的氮化硅暴露出来;在多晶硅栅和源漏区中同时进行源漏离子注入;去除第三氧化层、第二多晶硅和第一氧化层;对注入离子进行热退火激活。本发明能使杂质离子同时注入到顶部形成有硅化钨和氮化硅的多晶硅栅和源漏区中,同时能避免源漏区中注入的结深太深。

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