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铟镓铝氮发光器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510030320.2
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-09-30
  • 申请人:
    南昌大学
著录项信息
专利名称铟镓铝氮发光器件
申请号CN200510030320.2申请日期2005-09-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-05-10公开/公告号CN1770485
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H01L33/00查看分类表>
申请人南昌大学申请人地址
江西省南昌市南京东路2*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶能光电(江西)有限公司当前权利人晶能光电(江西)有限公司
发明人王立;江风益;方文卿
代理机构江西省专利事务所代理人张文
摘要
本发明公开了一种铟镓铝氮发光器件,它包括衬底、半导体叠层、引线电极和电极引线,半导体叠层中至少包括一个N型层和一个P型层,特征是在半导体叠层中至少N型层或至少P型层具有一空缺,该空缺位于所述引线电极的引线的正下方;或包括一个具有主面和背面的导电衬底,依次在衬底主面向上层叠的粘接金属层、反射/欧姆金属层、半导体叠层、引线电极和电极引线,该半导体叠层中至少包含一个N型层和一个P型层,特征是所述的反射/欧姆金属层具有一空缺,且该空缺位于所述引线电极的引线的正下方。本发明的电极引线的下方半导体层不发光,因此可以消除因引线挡光而导致的光损失,提高发光器件的出光效率。

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