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具内部偏馈射频功率晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN200380107088.7
IPC分类号：H01L23/66;H03F3/60;H03F3/193
申请日期：
2003-11-24
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具内部偏馈射频功率晶体管
申请号	CN200380107088.7	申请日期	2003-11-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-02-08	公开/公告号	CN1732568
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/64 阻抗装置〔5〕 H01L23/66 高频匹配器〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;6;;;H;0;3;F;3;/;6;0;;;H;0;3;F;3;/;1;9;3查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	美国北卡罗来纳州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	科锐	当前权利人	科锐
发明人	N·V·迪西特;L·莱顿;G·C·马;P·佩鲁古帕里
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张雪梅;张志醒

摘要

传统宽频射频功率放大器系使用1/4波长传输线将占用印刷电路板相对较大空间之栅极偏压直流源极从栅极电路去耦合，及第二1/4波长传输线将漏极偏压直流源极从漏极电路去耦合。新宽频射频功率放大器不需1/4波长传输线而使用具有用于注入栅极偏压及漏极偏压直流源极之独立终端的晶体管，藉此免除空间并促进更高密度封装。功率放大器晶体管可以单印模电路或并联操作之多印模电路来实施。

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