用高温氧化方法制备SnO2过渡层

发明专利无效专利

申请号：
CN200410081380.2
IPC分类号：H01L21/02;H01L31/18;H01L31/02
申请日期：
2004-12-01
申请人：
四川大学

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专利名称	用高温氧化方法制备SnO2过渡层
申请号	CN200410081380.2	申请日期	2004-12-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-05-11	公开/公告号	CN1614744
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市一环路南一段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	雷智;张静全;冯良桓
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

高温氧化方法制备SnO2过渡层，本项发明所属域为新型光电子材料。本发明主要是采用新的制作工艺，用高温氧化方法在透明低阻SnO2:F薄膜表面，氧化出一层透明本征SnO2膜。本征SnO2膜作为透明前电极与CdS层的过渡层，可以在CdS层减薄的情况下，提高CdS/CdTe电池的短波响应，使得CdTe太阳电池的转换效率提高1～2%。本发明减化了SnO2过渡层的生产工艺，大幅降低产品成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN1174487A	1998-02-25	1996-08-21	透明电热膜元件的制造方法无效专利	无锡市现代技术发展公司
2	US4293594A	暂无	1980-08-22	Method for forming conductive, transparent coating on a substrate失效专利	Bulent E. Yoldas;Douglas M. Mattox
3	CN1196760A	1998-10-21	1997-05-06	在玻璃上形成氧化锡涂层的方法失效专利	利比-欧文斯-福特公司;皮尔金顿公开有限公司
4	CN85102350A	1986-07-09	1985-04-08	制造高质量、高性能、含氟氧化锡涂层的液态涂料配方失效专利	M&T化学股份有限公司

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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