一种高质量CuInZn<sub>x</sub>S<sub>2+x</sub>/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310085084.9
IPC分类号：C09K11/62
申请日期：
2013-03-15
申请人：
河南大学

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专利名称	一种高质量CuInZn<sub>x</sub>S<sub>2+x</sub>/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的制备方法
申请号	CN201310085084.9	申请日期	2013-03-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-24	公开/公告号	CN103215034A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/62 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/62 含镓、铟或铊〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;6;2查看分类表>
申请人	河南大学	申请人地址	河南省开封市明伦街85号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河南大学	当前权利人	河南大学
发明人	李林松;申怀彬
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及荧光半导体纳米材料制备技术领域，特别涉及到一种低成本，环保，简单，可控的合成高质量CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的方法。通过采用常规的铜盐，铟盐，锌盐作为阳离子前驱体，采用硫醇作为硫源和表面配体，合成的CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶荧光范围可以在530-830nm之间连续调节，荧光量子产率处于40-70%，稳定性好。本发明为CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的工业化大规模合成提供了一个新的方法。

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