一种超疏水硅微纳复合结构及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110006319.1
IPC分类号：--
申请日期：
2011-01-13
申请人：
西北工业大学

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著录项信息

专利名称	一种超疏水硅微纳复合结构及其制备方法
申请号	CN201110006319.1	申请日期	2011-01-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-31	公开/公告号	CN102167280A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	西北工业大学	申请人地址	陕西省西安市友谊西路127号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北工业大学	当前权利人	西北工业大学
发明人	何洋;姜澄宇;张峰;尹恒许;陈俊;王圣坤;胡培军;苑伟政;田梦君
代理机构	西北工业大学专利中心	代理人	吕湘连

摘要

本发明公开了一种超疏水硅微纳复合结构及其制备方法，属于纳米材料制备领域。该结构是由硅表面方柱阵列微米结构以及各微米结构上柱状纳米结构组成的微纳复合结构。该制备方法成本相对低廉，可以实现周期阵列硅微纳复合结构可控制备，并与微电子、微机电工艺兼容，为深入研究几何形貌对润湿性能的影响提供了有力的手段；该制备方法无需表面修饰，只是通过表面结构形貌改变就可获得超疏水性，为超疏水硅微纳复合结构表面在微机电系统等领域中的应用奠定了基础。

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