半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110049774.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20
申请日期：
2021-01-14
申请人：
镓特半导体科技（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
申请号	CN202110049774.3	申请日期	2021-01-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-18	公开/公告号	CN112820634A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0查看分类表>
申请人	镓特半导体科技（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	镓特半导体科技（上海）有限公司	当前权利人	镓特半导体科技（上海）有限公司
发明人	王颖慧;罗晓菊;特洛伊·乔纳森·贝克
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	杨明莉

摘要

本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；采用氢化物气相外延工艺于图形化掩膜层的表面形成牺牲层，包括：将形成有图形化掩膜层的衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括氯化氢及氨气的反应气体，以形成所述牺牲层；其中，氯化氢的气体流量恒定，氨气的气体流量在预设范围内呈连续性变化；于牺牲层的上表面形成厚膜氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，形成的牺牲层中减少凹坑缺陷的形成，为后续形成厚膜氮化镓层提供高质量少凹坑缺陷的晶种衬底。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供