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电子束退火制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110328538.1
IPC分类号：H01L39/24
申请日期：
2011-10-26
申请人：
中国科学院电工研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电子束退火制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法
申请号	CN201110328538.1	申请日期	2011-10-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-07	公开/公告号	CN102368533A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L39/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L39/00 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00；超导或高导体、电缆或传输线入H01B 12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F 19/00）〔2，4〕 H01L39/24 专门适用于制造或处理包含在H01L 39/00组内的器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;9;/;2;4查看分类表>
申请人	中国科学院电工研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北二条6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电工研究所	当前权利人	中国科学院电工研究所
发明人	孔祥东;韩立;初明璋;薛虹;李建国;林云生;方光荣
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司	代理人	关玲

摘要

一种电子束退火制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法，该方法采用电子束在真空中对夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火。所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为[Mg/B]-X-[Mg/B]，X代表标准导体层N或绝缘层I，在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成MgB2-X-MgB2结构的SNS型或SIS二硼化镁超导约瑟夫森结。

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