铁电体晶体管及存储单元

发明专利无效专利

申请号：
CN00813472.3
IPC分类号：--
申请日期：
2000-09-29
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	铁电体晶体管及存储单元
申请号	CN00813472.3	申请日期	2000-09-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-10-23	公开/公告号	CN1376312
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	R·斯坦格尔;H·雷辛格;T·汉德;H·巴奇霍弗
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	黄力行

摘要

本发明的半导体衬底(11)上彼此相挨地排列着第一源漏区(121)、沟道区(13)和第二源漏区(122)。一个电介质层(14)至少覆盖了该沟道区的表面和第一源漏区的大部分。上述电介质层的表面上两个极化电极16、18)之间具有一铁电机体层(17)。一个栅电极就位于此电介质层表面上。所述电介质层厚度尺寸的确定，要使得位于两个极化电极之间并与它们对齐的铁电体层的剩余的极化强度，能够在所述沟道区的一个部分中产生出补偿电菏来。这种铁电体晶体三极管适宜在一个存储单元装置中用作存储单元。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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