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显示装置及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980001449.0
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L27/12
  • 申请日期:
    2019-08-23
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称显示装置及其制备方法
申请号CN201980001449.0申请日期2019-08-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-30公开/公告号CN112740421A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司
发明人李大超;杨盛际;许晨
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云
摘要
一种显示装置(100)及其制备方法。该显示装置(100)包括衬底基板(600)以及形成在衬底基板(600)上的至少一个像素电路。像素电路包括驱动晶体管(140)、第一晶体管(110)以及第二晶体管(120);衬底基板(600)包括可掺杂的半导体主体(330)以及位于半导体主体(330)之上的第一导电层(310)以及第二导电层(320);第一晶体管(110)包括与第一晶体管(110)的第一极(DE1)接触的第一掺杂区(DR1),与第一晶体管(110)的第二极(SE1)接触的第二掺杂区(SR1),第一晶体管(110)的第一掺杂区(DR1)与第一晶体管(110)的第二掺杂区(SR1)彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体(330)中;第一晶体管(110)还包括与第一掺杂区(DR1)接触的漂移掺杂区(DF1),第一晶体管(110)的漂移掺杂区(DF1)与第一晶体管(110)的第二掺杂区(SR1)彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体(330)中。该显示装置(100)可以降低或避免被高电压击穿的风险。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供