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用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210007703.8
  • IPC分类号:C23C16/34;C23C16/44
  • 申请日期:
    2012-01-11
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法
申请号CN201210007703.8申请日期2012-01-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-07-17公开/公告号CN103205729A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/34IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人饶志鹏;万军;夏洋;陈波;李超波;石莎莉;李勇滔;李楠
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人刘丽君
摘要
本发明公开用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法,包括步骤10、将碳化硅衬通过标准液和氢氟酸处理表面并放置于原子层沉积设备反应腔中;步骤20、向所述原子层沉积设备反应腔中通入镓源气体,所述镓源气体作为第一反应前驱体源在碳化硅衬底表面进行化学吸附,所述镓源气体中的镓原子吸附在所述碳化硅衬底上;步骤30、吸附在碳化硅衬底上的镓原子与电离后的第二反应前驱体在氢气的辅助下发生反应,直到所述碳化硅衬底表面的镓原子完全消耗;重复步骤20、30,即可在所述碳化硅衬底表面形成氮化镓薄膜。本发明提供的方法能够实现均匀的在整个结构中掺氮,且掺杂后氮元素含量高,薄膜结构完整。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供