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萘并并吡嗪类衍生物及其制备方法和电子器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010231029.6
  • IPC分类号:C07D487/04;C07D519/00;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54
  • 申请日期:
    2020-03-27
  • 申请人:
    苏州久显新材料有限公司
著录项信息
专利名称萘并并吡嗪类衍生物及其制备方法和电子器件
申请号CN202010231029.6申请日期2020-03-27
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-19公开/公告号CN111303157A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07D487/04IPC分类号C;0;7;D;4;8;7;/;0;4;;;C;0;7;D;5;1;9;/;0;0;;;C;0;7;F;7;/;0;8;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6;;;H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4查看分类表>
申请人苏州久显新材料有限公司申请人地址
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道1198号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州久显新材料有限公司当前权利人苏州久显新材料有限公司
发明人崔林松;朱向东;张业欣;陈华
代理机构北京品源专利代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明提供一种萘并并吡嗪类衍生物及其制备方法和电子器件,涉及有机光电材料技术领域。本发明通过引入萘并并吡嗪类衍生物的稠环结构,得到的萘并并吡嗪类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高,可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外,本发明的萘并并吡嗪类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料,能够降低驱动电压,提高效率、亮度和寿命等。本发明还提供了萘并并吡嗪类衍生物的制备方法,以及使用萘并并吡嗪类衍生物的电子器件。

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