一种具有外延层的复合衬底

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201721256478.6
IPC分类号：H01L31/0236;H01L31/0392
申请日期：
2017-09-27
申请人：
佛山市艾佛光通科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种具有外延层的复合衬底
申请号	CN201721256478.6	申请日期	2017-09-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0236 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0236 特殊表面结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;9;2查看分类表>
申请人	佛山市艾佛光通科技有限公司	申请人地址	广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内A区7座第三层303单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佛山市艾佛光通科技有限公司	当前权利人	佛山市艾佛光通科技有限公司
发明人	李国强;李洁
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	王国标

摘要

本实用新型公开了一种具有外延层的复合衬底，其特征在于，包括转移硅衬底，转移硅衬底上的粘附层，粘附层上的阻挡层，阻挡层上的键合层，及键合层上的外延层；所述键合层所用金属为Au和Sn，键合层厚度≦3μm。粘附层可以改善外延层与衬底之间的粘附性能，使得外延层不易脱落，阻挡层可以很好地阻止键合层中的金属扩散，保护键合层的键合结构，键合层使用Sn和Au，Sn和Au形成AuSn共熔物保证了键合强度，并且Au可以阻止Sn的氧化，避免键合层中出现孔洞。本实用新型应用于光电子基成器件制备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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