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一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110767265.4
  • IPC分类号:C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/88
  • 申请日期:
    2021-07-07
  • 申请人:
    齐鲁工业大学
著录项信息
专利名称一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
申请号CN202110767265.4申请日期2021-07-07
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-05公开/公告号CN113603482A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/495IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;;;C;0;4;B;4;1;/;8;8查看分类表>
申请人齐鲁工业大学申请人地址
山东省济南市长清区大学路3501号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人齐鲁工业大学当前权利人齐鲁工业大学
发明人杜毅;刘伟朋
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种铌酸钾基无铅压电陶瓷及其制备方法,所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的化学计量比为:(1‑x)K0.48Na0.52NbO3‑x(NaSbO3+(Bi0.45Sm0.05)Li0.5ZrO3),其中x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06。制备方法是将 K2CO3,Na2CO3,Li2CO3,Nb2O5,Sb2O5,Bi2O3,Sm2O3,ZrO2,这几种原料按照化学计量比称量好,进行配料,经过球磨、烘干后在870℃预烧6h得到预烧粉,再经过二次球磨、烘干、造粒、压片、排胶后,在1080‑1120℃下烧结,最后经过被银和极化操作后,制得较高压电常数的陶瓷片。本发明通过将 (NaSbO3+(Bi0.45Sm0.05)Li0.5ZrO3)掺杂在KNN基无铅压电陶瓷中,并对烧结工艺进行改进,提高了该压电陶瓷电学性能,其介电常数εr=2000,居里温度TC=267℃,压电常数d33=340pC/N。

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