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极紫外光辐射源

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201811229203.2
  • IPC分类号:H05G2/00
  • 申请日期:
    2018-10-22
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称极紫外光辐射源
申请号CN201811229203.2申请日期2018-10-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-05-21公开/公告号CN109788623A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H05G2/00IPC分类号H;0;5;G;2;/;0;0查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人赖韦志;张汉龙;杨基;简上杰;刘柏村;陈立锐;郑博中
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人黄艳
摘要
一种极紫外光源的标靶液滴源包括一液滴产生器,配置用以产生一给定材料的标靶液滴。液滴产生器包括一喷嘴,配置用以在由一腔室封闭的一空间中供应标靶液滴。标靶液滴源还包括一套筒,设置在腔室中且靠近喷嘴。套筒配置用以为标靶液滴在腔室中提供一路径。

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