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自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810222241.5
  • IPC分类号:H01L29/73;H01L29/737;H01L29/10;H01L21/331
  • 申请日期:
    2008-09-12
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法
申请号CN200810222241.5申请日期2008-09-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-02-04公开/公告号CN101359682
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/73
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;7;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市-82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人付军;王玉东;徐阳;许平;蒋志;钱佩信
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司代理人史双元
摘要
本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层,接着通过刻蚀形成发射区窗口,然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上,对上述多层介质层进行选择性腐蚀,并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区,且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准,从而有效地减少了器件的基极电阻,进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。

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