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具有含氮栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN00122716.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336;H01L27/00
  • 申请日期:
    2000-06-30
  • 申请人:
    株式会社东芝
著录项信息
专利名称具有含氮栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法
申请号CN00122716.5申请日期2000-06-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2001-02-21公开/公告号CN1284748
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人株式会社东芝申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社东芝当前权利人株式会社东芝
发明人大内和也
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
MOS半导体器件包括:形成在半导体衬底上含氮的栅绝缘膜;栅电极选择性地形成在栅绝缘膜上;以及形成在栅电极和半导体衬底表面上的氧化膜,其中第二部分中的位于第一平行线和衬底之间的那一部分的厚度为第二部分中位于第二平行线和栅极之间的另外一部分的厚度的三分之一以下。由于栅绝缘膜含氮,可以抑制栅绝缘膜厚度的增加超出需要的厚度,也可以防止栅电压降低,同时可以提高MOS晶体管的控制能力。

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