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一种电感的片上实现结构及放置方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810811771.7
  • IPC分类号:H01L23/522
  • 申请日期:
    2018-07-21
  • 申请人:
    安徽矽磊电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种电感的片上实现结构及放置方法
申请号CN201810811771.7申请日期2018-07-21
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-12-07公开/公告号CN108962872A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/522IPC分类号H01L23/522查看分类表>
申请人安徽矽磊电子科技有限公司申请人地址
安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋22*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽矽磊电子科技有限公司当前权利人安徽矽磊电子科技有限公司
发明人王晗
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提出了一种电感的片上实现结构及放置方法,通过将负载电感以金属走线的形式设计,将去耦电容放置于负载电感的下方,去耦电容为接地电容,并且去耦电容的放置方向应满足去耦电容中的电流流向与其相对置的金属走线中的电流流向垂直。通过以上方案,将去耦电容通过特殊的方式放置在电感下面复用为屏蔽层,在保证电感品质因子的同时,大大减小了芯片的封装面积,节约了芯片晶圆成本。

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