具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200780049119.6
IPC分类号：H01J37/08;H01J37/302;H01J37/317;H01J27/02
申请日期：
2007-11-08
申请人：
瓦里安半导体设备公司

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著录项信息

专利名称	具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法
申请号	CN200780049119.6	申请日期	2007-11-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-11-18	公开/公告号	CN101584018
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/02 零部件 H01J37/04 电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置 H01J37/08 离子源；离子枪	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;0;8;;;H;0;1;J;3;7;/;3;0;2;;;H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	瓦里安半导体设备公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦里安半导体设备公司	当前权利人	瓦里安半导体设备公司
发明人	乔纳森·吉罗德·英格兰;克里斯多夫·R·汉特曼;杰·汤玛斯·舒尔;约瑟·C·欧尔森
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁

摘要

本发明揭示一种用于产生原子或分子离子束的具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法。在一个特定示范性实施例中，提供一种离子植入设备，其用于控制对应于所产生的离子束种类的离子束源外壳内的压力。离子植入设备可包含离子束源外壳，其包括用于离子束产生的多个种类。还可包含抽吸区段，用于从离子束源外壳排放气体。可进一步包含控制器，用于根据对应于用于离子束产生的多个种类中的一种类的抽吸参数来控制抽吸区段。

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