加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810545876.2
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2018-05-25
  • 申请人:
    矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
著录项信息
专利名称横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
申请号CN201810545876.2申请日期2018-05-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-11-13公开/公告号CN108807543A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请人地址
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司当前权利人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
发明人游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;宋洵奕
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法,所述横向扩散金属氧化物半导体器通过在漂移区下方形成设置与漂移区掺杂类型相反的减小表面场效应层来辅助耗尽漂移区,以提高半导体器件的耐压性能,且还使得所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距设置得大于零,从而可以确保所述减小表面场效应层和漂移区之间具有一定的电子流经路径,以降低半导体器件的导通电阻。因此,依据本发明提供的横向扩散金属氧化物半导体器件的耐压性能和导通电阻性能均能得到最优化。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供