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CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201511030285.4
  • IPC分类号:H01L31/0224;H01L31/032
  • 申请日期:
    2015-12-30
  • 申请人:
    中国科学技术大学
著录项信息
专利名称CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池
申请号CN201511030285.4申请日期2015-12-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-05-11公开/公告号CN105576049A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0224IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2查看分类表>
申请人中国科学技术大学申请人地址
安徽省合肥市包河区金寨路96号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学技术大学当前权利人中国科学技术大学
发明人王德亮;李珣;沈凯
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人赵青朵
摘要
本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构,包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜,以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散,在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性;本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。

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