高抗腐蚀性Re-(Fe,TM)-B磁体及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210393641.9
IPC分类号：H01F41/02;H01F7/02;H01F1/057
申请日期：
2012-10-17
申请人：
中磁科技股份有限公司

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专利名称	高抗腐蚀性Re-(Fe,TM)-B磁体及其制备方法
申请号	CN201210393641.9	申请日期	2012-10-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-07	公开/公告号	CN103779061A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F41/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F41/00 专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法 H01F41/02 用于制造磁芯、线圈或磁体的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;H;0;1;F;7;/;0;2;;;H;0;1;F;1;/;0;5;7查看分类表>
申请人	中磁科技股份有限公司	申请人地址	山西省运城市万荣县恒磁工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中磁科技股份有限公司	当前权利人	中磁科技股份有限公司
发明人	孙绪新;孙斌
代理机构	北京中誉威圣知识产权代理有限公司	代理人	李春晅;彭晓玲

摘要

本发明公开高抗腐蚀性Re-(Fe,TM)-B磁体制备方法：1）将Re-(Fe,TM)-B体系磁体材料熔炼后进行粗破碎，进行中碎，得到平均粒径0.5mm的粉末材料，其中Re选自Pr-Nd、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho或其混合，TM选自Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr或其混合；2）将步骤1所得粉末材料经气流磨一步研磨至粉末材料平均粒径小5μm；3）将步骤2所得粉末材料经磁场成型、真空烧结、时效处理后，得到所需产品；其中步骤1和步骤2所得粉末材料，在进行下一步处理前进行混料处理使粉末材料混合均匀；其中在进行中碎、气流磨研磨、及混料处理中一个或多个操作时向粉末材料中添加平均粒度小于80μm的金属或金属氧化物。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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