基板处理装置以及基板处理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710136734.2
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/306;H01L21/67;B08B3/00;B08B3/08
申请日期：
2007-07-25
申请人：
大日本网目版制造株式会社

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著录项信息

专利名称	基板处理装置以及基板处理方法
申请号	CN200710136734.2	申请日期	2007-07-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-01-30	公开/公告号	CN101114572
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;B;0;8;B;3;/;0;0;;;B;0;8;B;3;/;0;8查看分类表>
申请人	大日本网目版制造株式会社	申请人地址	日本京都府京都市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	斯克林集团公司	当前权利人	斯克林集团公司
发明人	大泽笃史
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	徐恕

摘要

本发明提供一种能够提高药液处理的均一性的同时提高处理液的置换效率的基板处理装置。在基板处理装置(10a)中，设置有经由较小的开口部喷出处理液而向处理槽(11)内供给处理液的高速供给系统(3)、和经由较大的开口部喷出处理液而向处理槽(11)内供给处理液的低速供给系统(4)。在进行蚀刻处理时，由于从高速供给系统(3)供给处理液，所以处理槽(11)内的处理液中的药液成分的浓度差减少，能够提高蚀刻处理的均一性。另一方面，在未进行蚀刻处理时，由于从低速供给系统(4)供给处理液，所以能够提高处理槽(11)内的处理液的置换效率。

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