一种快速制备高取向高功率因子的Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010751701.4
IPC分类号：C22C12/00;B22F3/105;B22F3/17;B22F9/04;C22C1/04
申请日期：
2020-07-30
申请人：
武汉理工大学

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著录项信息

专利名称	一种快速制备高取向高功率因子的Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的方法
申请号	CN202010751701.4	申请日期	2020-07-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111876632A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C12/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C12/00 锑或铋基合金〔2〕	IPC分类号	C;2;2;C;1;2;/;0;0;;;B;2;2;F;3;/;1;0;5;;;B;2;2;F;3;/;1;7;;;B;2;2;F;9;/;0;4;;;C;2;2;C;1;/;0;4查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	唐新峰;张政楷;苏贤礼;曹宇
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种快速制备高取向高功率因子的p型或n型Bi2Te3基热电材料方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物制备、成型、热锻三个部分，首先将高纯Bi，Sb，Te，Se，S按照化学计量比称量，通过自蔓延合成或热爆合成的方式超快速制备得到p型或n型Bi2Te3基热电材料；然后将p型或n型Bi2Te3基热电材料研磨筛分，选取合适粒径材料进行放电等离子烧结，获得致密块体材料；将致密块体材料通过放电等离子烧结技术进行热锻，得到高取向性、高功率因子的p型或n型的Bi2Te3基热电材料。本发明通过热爆及自蔓延燃烧合成技术可以大大减少原料制备所需时间，以及研磨达到所需粒径时间，结合放电等离子烧结技术进行热锻，可以有效控制晶粒长大，时间短，材料具有高取向性、高功率因子。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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