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一种扇出型圆片级芯片封装方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210243958.4
  • IPC分类号:H01L21/56;H01L21/60
  • 申请日期:
    2012-07-16
  • 申请人:
    江阴长电先进封装有限公司
著录项信息
专利名称一种扇出型圆片级芯片封装方法
申请号CN201210243958.4申请日期2012-07-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-10-24公开/公告号CN102751204A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/56IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人江阴长电先进封装有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江阴长电先进封装有限公司当前权利人江阴长电先进封装有限公司
发明人张黎;陈栋;赖志明;陈锦辉;徐虹
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人楼然
摘要
本发明涉及一种扇出型圆片级芯片封装方法,属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片(1)、金属微结构(2)、高密度布线层(4)、硅腔体(5)、键合层(6)和焊球凸点(7),在芯片(1)上通过溅射、光刻、电镀等工艺形成金属微结构(2),将芯片(1)倒装在高密度布线层(4)上,用光学掩膜、刻蚀等方法在硅腔体(5)上形成下凹的硅腔(511),所述硅腔体(5)将芯片(1)扣置在硅腔(511)内,所述高密度布线层(4)与硅腔体(5)通过键合层(6)键合,加热使包封料层(52)和键合层(6)固化成形。本发明的封装成本低、扇出(Fanout)结构的支撑强度牢固、封装良率高、适用于薄型结构的扇出型圆片级芯片封装。

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