半导体衬底的清洗方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99121769.1
IPC分类号：--
申请日期：
1999-08-27
申请人：
三菱硅材料株式会社;三菱材料株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体衬底的清洗方法
申请号	CN99121769.1	申请日期	1999-08-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-04-12	公开/公告号	CN1250224
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三菱硅材料株式会社;三菱材料株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	胜高股份有限公司	当前权利人	胜高股份有限公司
发明人	高石和成;高田凉子
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	龙传红

摘要

一种半导体衬底的清洗方法包括以下步骤：将半导体衬底浸入混合过氧化氢和氢氧化铵制备的混合溶液中；将在混合溶液中浸泡过的半导体衬底浸入至少包括溶解有臭氧的水溶液、硝酸溶液或过氧化氢溶液中一种的氧化溶液中；将在氧化溶液中浸泡过的衬底浸入氢氟酸与有机酸或与该有机酸盐的混合溶液中；将在该混合溶液中浸泡过的半导体衬底漂洗之后，再氧化漂洗过的半导体衬底。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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