在活性等离子中用于原位测量的高温传感器晶片

发明专利有效专利

申请号：
CN201811367416.1
IPC分类号：--
申请日期：
2014-01-06
申请人：
科磊股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在活性等离子中用于原位测量的高温传感器晶片
申请号	CN201811367416.1	申请日期	2014-01-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-21	公开/公告号	CN109781281A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	科磊股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	科磊股份有限公司	当前权利人	科磊股份有限公司
发明人	梅·孙;厄尔·詹森;伐汉特·奎利;史帝芬·夏瑞特
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	张世俊

摘要

本揭露涉及在活性等离子中用于原位测量的高温传感器晶片。本发明的方面揭示一种工艺条件测量装置中的组件模块，其包括：支架，其用于支撑组件；一或多个支腿，其经配置以使所述支架悬挂为相对于衬底呈隔开关系。导电或低电阻半导体外壳经配置以在所述衬底与所述外壳之间围封所述组件、所述支架及所述支腿。应强调，提供本摘要是为了符合规则，所述规则要求将允许研究者或其他读者快速确定本技术揭示内容的标的物的摘要。本摘要是在其不得用于解释或限制所附权利要求书的范围或含义的前提下提交的。

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