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一种在半导体器件中应用应力记忆技术的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110341094.5
  • IPC分类号:H01L21/8238
  • 申请日期:
    2011-11-02
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种在半导体器件中应用应力记忆技术的方法
申请号CN201110341094.5申请日期2011-11-02
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-07-04公开/公告号CN102543875A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8238
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人张文广;徐强;郑春生;徐灵芝
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人王敏杰
摘要
本发明提出了一种在半导体器件中应用应力记忆技术的方法。包括提供衬底,沉积二氧化硅缓冲层与衬底上,沉积低拉应力氮化硅薄膜于二氧化硅薄膜层上,在低应力氮化硅薄膜之上涂覆光刻胶并对曝光使NMOS区域露出,用UV光对晶片进行照射以去除氮化硅薄膜NMOS区域中的部分H元素,去除覆盖于PMOS区域的光阻,利用RTA技术使NMOS区域的沟道产生应力记忆效果,最后将氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜去除。采用本发明大大简化了常规的应力记忆技术,使得氮化硅薄膜具有连续性,降低了该技术在实施中的成本,在确保NMOS的性能不变的情况下,PMOS的性能也不受太大的影响。

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