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带有内置单片温度传感器的集成电路器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200510055997.1
IPC分类号：H01L27/00;H01L23/58;G01K7/16
申请日期：
2005-03-24
申请人：
恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	带有内置单片温度传感器的集成电路器件
申请号	CN200510055997.1	申请日期	2005-03-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-05	公开/公告号	CN1677668
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;5;8;;;G;0;1;K;7;/;1;6查看分类表>
申请人	恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	大窪宏明;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	穆德骏;陆弋

摘要

在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。

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