三阱隔离二极管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210559082.4
IPC分类号：H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H02M3/10
申请日期：
2012-12-20
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	三阱隔离二极管及其制造方法
申请号	CN201210559082.4	申请日期	2012-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-23	公开/公告号	CN103367461A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/861 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/86 只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/861 二极管〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;2;M;3;/;1;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;孙征

摘要

本发明公开了三阱隔离二极管及其制造方法，其中，三阱隔离二极管包括具有第一导电类型的衬底以及形成在衬底中的隐埋层，隐埋层具有第二导电类型。三阱隔离二极管包括形成在衬底和隐埋层上方的外延层，外延层具有第一导电类型。三阱隔离二极管包括：第一阱，形成在外延层中，第一阱具有第二导电类型；第二阱，形成在外延层中，第二阱具有第一导电类型并围绕第一阱；第三阱，形成在外延层中，第三阱具有第二导电类型并围绕第二阱。三阱隔离二极管包括形成在外延层中的深阱，深阱具有第一导电类型并延伸到第一阱的下方。

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