一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810427255.4
IPC分类号：H01L21/34;H01L21/44;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L51/40;H01L51/05
申请日期：
2018-05-07
申请人：
华南理工大学

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著录项信息

专利名称	一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法
申请号	CN201810427255.4	申请日期	2018-05-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-16	公开/公告号	CN108666223A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/34 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;4;4;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0;;;H;0;1;L;5;1;/;0;5查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	兰林锋;李育智;彭俊彪
代理机构	北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	赵蕊红

摘要

一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：依次在衬底上沉积导电薄膜、绝缘体薄膜和图案化的疏水聚合物薄膜；采用湿法刻蚀工艺，保留疏水聚合物薄膜覆盖下的绝缘体薄膜和导电薄膜；再在疏水聚合物两侧沉积绝缘体薄膜、然后采用喷墨印刷工艺制备源漏电极；疏水聚合物被除去后，在栅介质层和源漏电极之上沉积半导体薄膜作为薄膜晶体管的有源层。本发明制备工艺简单，成本低，能够减少寄生效应，可应用于制备短沟道器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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