一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010964380.6
IPC分类号：G11C16/12G11C16/14G11C16/26
申请日期：
2020-09-15
申请人：
中国人民解放军国防科技大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法
申请号	CN202010964380.6	申请日期	2020-09-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-08	公开/公告号	CN112053725A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕 G11C16/12 编程电压开关电路〔7〕	IPC分类号	G11C16/12;G11C16/14;G11C16/26查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科技大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路1*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科技大学	当前权利人	中国人民解放军国防科技大学
发明人	王宏义;徐顺强;吴建飞;郑黎明
代理机构	长沙国科天河知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本申请涉及一种降低单栅极非挥发性存储器。所述存储器包括多个存储单元；存储单元之间阵列连接；存储单元采用差分接线；存储单元差分接线的一边包括控制管、遂穿管、读取管以及选择管；控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读取管；读取管的另外两端分别连接读取端线和选择管，选择管的另外两端分别连接选择端线和位线；遂穿管的另一端连接隧穿端线。所述方法包括写入时，控制端接入编程电压，隧穿端线接入擦除电压，读取端接地，通过读取管进行编程，通过遂穿管进行数据擦除；读取时，控制端接地，读取端接入工作电压。采用本方法能够减小存储器的功耗。

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一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法

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