高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320521643.1
IPC分类号：G01R31/14
申请日期：
2013-08-26
申请人：
黄月华

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪
申请号	CN201320521643.1	申请日期	2013-08-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/12 测试介电强度或击穿电压 G01R31/14 所用的电路	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;1;4查看分类表>
申请人	黄月华	申请人地址	安徽省蚌埠市经济开发区奋勇街146号（黄山茶庄南首）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	黄月华	当前权利人	黄月华
发明人	黄月华
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪，其特征包括：3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路；所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成；所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成；所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1～TX4、500型万用表组成。本实用新型所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供