一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质

发明专利有效专利

申请号：
CN202110737206.2
IPC分类号：G11C16/34;G11C16/14
申请日期：
2021-06-30
申请人：
芯天下技术股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质
申请号	CN202110737206.2	申请日期	2021-06-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113409872A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/34 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/34 编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;3;4;;;G;1;1;C;1;6;/;1;4查看分类表>
申请人	芯天下技术股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芯天下技术股份有限公司	当前权利人	芯天下技术股份有限公司
发明人	鲍奇兵;蒋丁;刘梦;温靖康;吴彤彤
代理机构	佛山市海融科创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄家豪

摘要

本发明公开了一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：在对芯片中选中的存在过擦除问题的存储单元进行读取或校验数据操作时，对选中的存储单元的Bulk端施加负压和/或对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压和/或对选中的存储单元的源端施加正压；该方法提供了“对选中的存储单元的Bulk端施加负压、对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压、对选中的存储单元的源端施加正压”共三种基础处理方式抑制过擦除存储单元在数据读取校验时漏电行为，进而使得擦除存储单元可在不修复的情况下进行正常使用，且三种基础处理方式可独立或任意搭配使用，具有多样性特点。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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