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薄膜太阳能电池及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780001867.7
  • IPC分类号:H01L31/042
  • 申请日期:
    2007-04-11
  • 申请人:
    LG电子株式会社
著录项信息
专利名称薄膜太阳能电池及其制造方法
申请号CN200780001867.7申请日期2007-04-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-02-11公开/公告号CN101366125
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/042
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;4;2查看分类表>
申请人LG电子株式会社申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人LG电子株式会社当前权利人LG电子株式会社
发明人安世源;鱼英株;李贵鲁;李敦熙;李宪民
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉
摘要
本发明涉及一种薄膜太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池具有叠置了玻璃基底、透明导电氧化物、多结太阳能电池层和电极层的结构,其中均为多结的第一太阳能电池层和第二太阳能电池层彼此并联电连接,并且并联的一个或更多个单元电池分组为彼此串联电连接。根据本发明,以下的这种薄膜太阳能电池能够实现比具有多个太阳能电池层串联的结构的薄膜太阳能电池更高的输出和效率,该薄膜太阳能电池具有单元电池,并具有其中多个单元电路彼此串联的结构的单元电池的,该单元电池呈其中具有不同特性的两个太阳能电池层彼此并联的结构。

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