建立光学邻近校正模型方法和光学邻近校正方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910054409.0
IPC分类号：G03F1/36;G03F1/44
申请日期：
2009-07-03
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	建立光学邻近校正模型方法和光学邻近校正方法
申请号	CN200910054409.0	申请日期	2009-07-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-01-05	公开/公告号	CN101937171A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/36 具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;6;;;G;0;3;F;1;/;4;4查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	朴世镇
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

一种建立光学邻近校正模型的方法、光学邻近校正方法和掩模版，其中，所述建立光学邻近校正模型的方法包括：根据掩模版上的测试图形进行曝光和显影，获得测试数据；对所述掩模版的测试图形进行修圆处理，所述修圆处理包括以锯齿状折线替代掩模版原测试图形中的方形拐角；应用经过修圆处理后的掩模版模拟光刻过程，获得模拟数据；比较所述测试数据以及所述模拟数据，建立光学邻近校正模型。本发明以锯齿状折线对方形拐角进行修圆处理，使光学邻近校正更加精确，提高了产品成品率，并节省了人力和时间，提高了生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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