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一种记忆体结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201920360355.X
  • IPC分类号:H01L27/11517
  • 申请日期:
    2019-03-21
  • 申请人:
    江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种记忆体结构
申请号CN201920360355.X申请日期2019-03-21
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11517
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;1;7查看分类表>
申请人江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司申请人地址
江苏省淮安市淮阴区长江东路北侧、中驰路西侧(长江东路601号) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏时代全芯存储科技股份有限公司,江苏时代芯存半导体有限公司当前权利人江苏时代全芯存储科技股份有限公司,江苏时代芯存半导体有限公司
发明人张明丰
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国
摘要
一种记忆体结构,包含基板、在基板上的浮栅介电层、在浮栅介电层上的第一浮栅及第二浮栅、分别在第一浮栅及第二浮栅上的第一控制栅极堆叠及第二控制栅极堆叠、选择栅极介电层及覆盖选择栅极介电层的选择栅极。第一凹槽分离第一浮栅及第二浮栅,且具有第一侧壁。第二凹槽分离第一控制栅极堆叠及第二控制栅极堆叠,且具有由第一侧壁凹陷的第二侧壁。选择栅极介电层覆盖第一凹槽及第二凹槽。选择栅极的底部及顶部分别填充于第一凹槽及第二凹槽中。本实用新型的记忆体结构具有较大的电场,使电子更容易通过F‑N穿隧方式由浮栅抹除至选择栅极。

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