扫描磁性探测器及其探针

1.一种扫描磁性探测器，包括一具有自旋极化和电传导性的单晶体 固态材料制成的探针，当将所述探针接近给定磁性物质时，可通过检测 所述探针和所述磁性物质表面之间的隧道电流，检测所述磁性物质的表 面情况。
2.如权利要求1所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述固态材 料为具有闪锌矿晶体结构的单晶体材料。
3.如权利要求2所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述固态材 料为从包括CuF、CuCl、AgI、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、BP、AlAs、AlP、 AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InAs、InP、InSb和SiC的集合中选择出 的至少一种材料。
4.如权利要求2所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述固态材 料为部分晶体晶格位置被施主杂质元素替代的BN单晶体。
5.如权利要求1所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述固态材 料为具有菱形晶体结构的单晶体材料。
6.如权利要求5所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述固态材 料为从包括Si、Ge和Sn的集合中选择出的至少一种材料。
7.如权利要求5所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述固态材 料为碳单晶体结构，其晶体晶格位置部分被施主杂质元素替换。
8.如权利要求2-7中任一个所述的扫描磁性探测器，其特征在于： 所述探针为锥形。
9.如权利要求1所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述探针的 尺寸被设为10nm或以下。
10.如权利要求2所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述探针 通过切割大的单晶体制成。
11.如权利要求5所述的扫描磁性探测器，其特征在于：所述探针 通过切割大的单晶体制成。
12.包括如权利要求1-11中任一个扫描磁性探测器的扫描隧道电子 微探针。
13.一种用于扫描磁性探测器的探针，由具有自旋极化和电传导性 的单晶体固态材料制成，当将所述探针接近给定磁性物质时，通过检测 所述探针和所述磁性物质之间的隧道电流，检测所述磁性物质的表面情 况。
14.如权利要求13所述的探针，其特征在于：所述固态材料为具有 闪锌矿晶体结构的单晶体材料。
15.如权利要求14所述的探针，其特征在于：所述固态材料为从包 括CuF、CuCl、AgI、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、BP、AlAs、AlP、AlSb、GaN、 GaP、GaAs、GaSb、InAs、InP、InSb和SiC中选择出的至少一种材料。
16.如权利要求14所述的探针，其特征在于：所述固态材料为部分 晶体晶格位置被施主杂质元素替代的BN单晶体。
17.如权利要求13所述的探针，其特征在于：所述固态材料为具有 菱形晶体结构的单晶体材料。
18.如权利要求17所述的探针，其特征在于：所述固态材料为从包 括Si、Ge和Sn的集合中选择出的至少一种材料。
19.如权利要求17所述的探针，其特征在于：所述固态材料为碳单 晶体结构，其晶体晶格位置部分被施主杂质元素替换。
20.如权利要求13中所述的探针，其特征在于：所述探针为锥形。
21.如权利要求13中所述的探针，其特征在于：所述探针的尺寸被 设为10nm或以下。
22.如权利要求14所述的探针，其特征在于：所述探针通过切割大 的单晶体制成。
23.如权利要求17所述的探针，其特征在于：所述探针通过切割大 的单晶体制成。

暂无