化学机械研磨工艺模型校准验证流程中薄膜厚度引入方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610327878.5
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/306
申请日期：
2016-05-17
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	化学机械研磨工艺模型校准验证流程中薄膜厚度引入方法
申请号	CN201610327878.5	申请日期	2016-05-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-21	公开/公告号	CN105957818A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江开发区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	姜立维;阚欢;魏芳;朱骏
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	智云

摘要

一种化学机械研磨工艺模型校准验证流程中薄膜厚度引入方法包括：沟槽刻蚀；测量晶片表面相距与晶片表面齐平的物理或化学可辨薄膜表面之间的距离，作为参考沟槽深度；将所测得的参考沟槽深度减去沟槽深度目标值，由此得到参考沟槽底部与可辨薄膜表面的间距；沉积薄膜；测量沉积的薄膜的上表面相距与可辨薄膜表面之间的距离；将所测得的距离减去参考沟槽底部与可辨薄膜表面的间距，由此得到参考沟槽底部与沉积的薄膜的上表面的间距；对沉积的薄膜进行化学机械研磨，以得到减薄薄膜；而且，测量减薄薄膜的上表面相距与可辨薄膜表面之间的距离；将所测得的距离减去参考沟槽底部与可辨薄膜表面的间距，由此得到参考沟槽底部与减薄薄膜的上表面的间距。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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