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具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711026475.8
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/84
  • 申请日期:
    2017-10-27
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法
申请号CN201711026475.8申请日期2017-10-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-03-16公开/公告号CN107808899A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人张金平;崔晓楠;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人敖欢;葛启函
摘要
本发明提供一种具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法,包括P型衬底、埋氧化层、N型漂移区、P型基区、N型缓冲区、N型源区、P型接触区、P型集电极区、发射极、集电极、栅介质层、栅电极,N型漂移区表面具有N型条和P型条,N型条和P型条在器件漂移区表面垂直于沟道长度方向相间排列,N型条和P型条下方漂移区中具有P型RESURF层;N型条、P型条和P型RESURF层三者与N型缓冲区之间具有介质槽结构;N型条和P型条的浓度大于N型漂移区的浓度;介质槽结构的深度不小于N型条、P型条和P型集电极区的深度;本发明实现了表面SJ‑LDMOS与LIGBT的混合导电,可以获得更低的导通压降,更高的耐压,更快的开关速度,更低的关断损耗,并消除了snapback效应,大大提升了器件性能。

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