一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910971616.6
IPC分类号：H01S5/06;H01S5/065;H01S5/12
申请日期：
2019-10-14
申请人：
南京邮电大学

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著录项信息

专利名称	一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法
申请号	CN201910971616.6	申请日期	2019-10-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-06	公开/公告号	CN110544874A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/06 控制激光器输出参数的装置，例如控制激活介质〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;6;;;H;0;1;S;5;/;0;6;5;;;H;0;1;S;5;/;1;2查看分类表>
申请人	南京邮电大学	申请人地址	江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京邮电大学	当前权利人	南京邮电大学
发明人	李连艳;张云山;刘子豪;施跃春;肖如磊;王芳
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	张玉红

摘要

本发明提供一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法。采用交错光栅将硅波导中的基模变换为高阶模，使模式的有效折射率降低，从而增大取样光栅滤波器的尺寸，降低了可调谐激光器的制造难度，解决现有的硅基可调谐激光器光栅加工难度大的问题。该方案不仅可用于外腔结构的可调谐激光器，也可用于键合方式的可调谐激光器。共同相位区和支路相位区的共同作用使得激光器的模式更稳定。由于两个取样光栅在增益芯片的同侧，相比于取样光栅在增益芯片异侧的可调谐激光器，可以获得更好的边模抑制比。

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