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半导体装置和电子设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910271303.X
  • IPC分类号:H01L23/29;H01L23/31;H01L29/06
  • 申请日期:
    2019-04-04
  • 申请人:
    三垦电气株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置和电子设备
申请号CN201910271303.X申请日期2019-04-04
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-10-16公开/公告号CN111785694A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/29IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人三垦电气株式会社申请人地址
日本埼玉县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三垦电气株式会社当前权利人三垦电气株式会社
发明人鹿内洋志;鹫谷哲;田中雄季;熊仓弘道;马场良平;山田辽太
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人王曦;陶海萍
摘要
本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备,该半导体装置具有:基板;电极,其形成在所述基板表面;以及保护膜,其形成在所述基板表面,其中,在垂直于所述基板表面的方向上,所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上,所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例,能提高半导体装置的可靠性。

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