一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820136520.5
IPC分类号：H05B6/36;H05B6/42
申请日期：
2008-09-11
申请人：
中国电子科技集团公司第四十六研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈
申请号	CN200820136520.5	申请日期	2008-09-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05B6/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05B 电热；其他类目不包含的电照明 H05B6/00 通过电场、磁场或电磁场加热的（采用微波放射治疗的入A61N 5/02）〔3〕 H05B6/02 感应加热〔3〕 H05B6/36 线圈装置〔3〕	IPC分类号	H;0;5;B;6;/;3;6;;;H;0;5;B;6;/;4;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	申请人地址	天津市河西区洞庭路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所
发明人	张殿朝;闫萍;庞炳远;索开南
代理机构	信息产业部电子专利中心	代理人	梁军

摘要

本实用新型公开了一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈，包括线圈骨架、线圈水冷管、其特征在于，在线圈骨架内圆周围的上表面设有两级台阶，第二级台阶的底部一端和线圈骨架内圆边沿连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度，所述线圈骨架内圆为偏心式结构，线圈下表面上设有一个偏心刻槽。本实用新型所述加热线圈克服了真空区熔提纯过程中直径较大多晶硅边缘易出现毛刺的缺陷。内径偏心式结构，大大降低熔区出现腰带的可能性，线圈上表面倾斜设计，增强了多晶熔化界面熔硅流动性。在线圈骨架上靠近电极上法兰和电极下法兰的一侧设置一个切面互相平行的倾斜切口，减少了电磁泄漏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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