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一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410521878.X
  • IPC分类号:H01L27/02H01L29/74
  • 申请日期:
    2014-09-28
  • 申请人:
    江南大学
著录项信息
专利名称一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件
申请号CN201410521878.X申请日期2014-09-28
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2014-12-24公开/公告号CN104241277A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H01L27/02;H01L29/74查看分类表>
申请人江南大学申请人地址
江苏省无锡市蠡湖大道18*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江南大学当前权利人江南大学
发明人顾晓峰;毕秀文;梁海莲;黄龙
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件,可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下,一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径,提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性;另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管,通过栅极接高电位形成GDPMOS管,以抑制SCR器件发生强回滞,提高器件的维持电压,增强器件的抗闩锁能力。

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