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半导体器件及半导体器件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201480078152.1
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/28
  • 申请日期:
    2014-05-01
  • 申请人:
    瑞萨电子株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件及半导体器件的制造方法
申请号CN201480078152.1申请日期2014-05-01
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2016-12-14公开/公告号CN106233437A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人瑞萨电子株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人饭塚敏洋;小山晋;加藤芳健
代理机构北京市金杜律师事务所代理人杨宏军;李文屿
摘要
本发明提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言,栅极绝缘膜GI以具有氮化物半导体层CH上形成的第1栅极绝缘膜(第1金属的氧化膜)GIa、第2栅极绝缘膜(第2金属的氧化膜)GIb的方式构成。第2金属(例如,Hf)比第1金属(例如,Al)的电负性低。使第2金属的电负性低于第1金属的电负性,负电荷通过界面极化而导入第1金属的氧化膜中,因此能够使平带电压向正方向偏移。由此,能够使由于第1金属的氧化膜的热处理而变为负的阈值电压向正方向偏移。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供